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VUM 33-05N
80
A
70
10 V
80
A
70
2.5
R DS(on) I D =18A
60
I D 50
40
30
7V
6V
V GS = 5 V
60
I D 50
40
30
T VJ = 25 ° C
T VJ = 125 ° C
2.0
norm.
1.5
1.0
20
10
20
10
0.5
0
0
0.0
0
2
4
V DS
6
8
V 10
2
3
4
V GS
5
6
V 7
-50
0
T VJ
50
100 ° C 150
Fig. 3 Typ. output characteristic
I D = f (V DS ) (MOSFET)
1.4
Fig. 4 Typ. transfer characteristics
I D = f (V GS ) (MOSFET)
12
Fig. 5 Typ. normalized
R DS(on) = f (T VJ ) (MOSFET)
100
BV DSS
V GS(th)
1.2
1.0
norm.
V GS(th)
V DSS
V GS
V
10
8
6
V DS = 250 V
I D = 18 A
I G = 10 mA
nF
10
C
C iss
0.8
4
1
C oss
0.6
2
C rss
0.4
-50
0
50
100 ° C 150
0
0
100
200
300 nC 400
0.1
0
5
10
15
V
20
T V J
Fig. 6 Typ. normalized BV DSS = f (T VJ )
V GS(th) = f (T VJ ) (MOSFET)
Q g
Fig. 7 Typ. turn-on gate charge
characteristics, V GS = f (Q g ) (MOSFET)
V DS
Fig. 8 Typ. capacitances C = f (V DS ),
f = 1 MHz (MOSFET)
80
s
60
120
A
100
3.0
μ C
2.5
T V J =100 ° C
V R = 350 V
max.
g fs
40
I F
80
60
T VJ =150 ° C
T VJ =100 ° C
Q rr 2.0
1.5
I F = 37 A
I F = 74 A
I F = 37 A
20
40
20
T VJ = 25 ° C
1.0
0.5
I F = 18.5 A
typ.
0
0
20
40
60
80 A 100
0
0.5
1.0
1.5
2.0 V 2.5
0.0
10
100
A/ μ s 1000
I D
Fig. 9 Typ. transconductance,
g fs = f (I D ) (MOSFET)
V F
Fig. 10 Forward current versus
voltage drop (Boost Diode)
-di F /dt
Fig. 11 Recovery charge versus -di F /dt
(Boost Diode)
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20070704a
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